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Diode module thyristor 2MBI450VN-120-50 à commutation rapide IGBT

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Régulation thermique de haute précision

Conçu pour minimiser les pertes par commutation, ce module semi-conducteur optimise l'efficacité énergétique globale des convertisseurs de puissance.

Performance sous forte charge

La structure interne permet de supporter des pics d'intensité élevés sans dégradation des cristaux de silicium.

Type de puceTrench Field Stop IGBT
Fréquence de commutationJusqu'à 20 kHz
Température de jonction150°C maximum
Tension d'isolation2500V AC

Bénéfices pour l'infrastructure

  1. Économie d'énergie : Réduction active des pertes en mode conduction.
  2. Durabilité prolongée : Résistance supérieure aux cycles thermiques répétés.
  3. Sécurité intégrée : Diode de roue libre à rétablissement rapide intégrée.

Idéal pour la mise à niveau des générateurs d'énergies renouvelables et des grands parcs de machines-outils.

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