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Module GD150HFL120C8SN transistor IGBT 1200V 150A pont de puissance

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Spécifications du Transistor de Puissance GD150HFL120C8SN

Le module de commutation GD150HFL120C8SN est conçu pour l'électronique de puissance industrielle. Ce composant semi-conducteur intègre deux IGBT en configuration demi-pont, idéal pour l'assemblage et la réparation d'équipements de soudage à arc ou de chauffage par induction.

Performances de Commutation Élevées

Ce modèle de 1200V permet de gérer des tensions élevées en toute sécurité. Sa structure interne limite la tension de déchet à l'état passant, ce qui permet de réaliser des économies d'énergie substantielles sur les installations à cycle continu.

Tableau des Paramètres Techniques

Type de ProduitModule IGBT double
Modèle SpécifiqueGD150HFL120C8SN
Courant Collecteur Maximum150A
Tension d'isolation du boîtier2500V AC

Grâce à ses connexions à vis robustes, ce module assure un contact électrique parfait, éliminant les risques de arcs électriques locaux au sein de vos armoires de contrôle de processus.

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